STW38N65M5-4
メーカー 部品型番 | STW38N65M5-4 |
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メーカー | STMicroelectronics |
部分的な説明 | MOSFET N-CH 650V 30A TO247-4L |
プロダクト | ディスクリート半導体製品 |
仕様書 | STW38N65M5-4 |
フリーステータス/ RoHS状態 | 鉛フリー/ RoHS準拠 |
在庫状況 | 100 pcs Stock |
配達場所 | Hong Kong |
輸送モード | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
- 在庫あり:100
- 最小注文:1
- 複数:1
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規格
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規格
同上@ VGS(TH)(最大) | 5V @ 250µA | Vgs(最大) | ±25V |
---|---|---|---|
技術 | MOSFET (Metal Oxide) | サプライヤデバイスパッケージ | TO-247-4L |
シリーズ | MDmesh™ M5 | 同上、Vgsは@ RDSで、(最大) | 95 mOhm @ 15A, 10V |
電力消費(最大) | 190W (Tc) | パッケージング | Tube |
パッケージ/ケース | TO-247-4 | 他の名前 | 497-18042 STW38N65M5-4-ND |
運転温度 | -55°C ~ 150°C (TJ) | 装着タイプ | Through Hole |
水分感受性レベル(MSL) | 1 (Unlimited) | メーカーの標準リードタイム | 42 Weeks |
鉛フリーステータス/ RoHSステータス | Lead free / RoHS Compliant | 入力容量(Ciss)(Max)@ Vds | 3000pF @ 100V |
ゲートチャージ(Qg)(最大)@ Vgs | 71nC @ 10V | FETタイプ | N-Channel |
FET特長 | - | 駆動電圧(最大Rdsオン、最小Rdsオン) | 10V |
ソース電圧(VDSS)にドレイン | 650V | 詳細な説明 | N-Channel 650V 30A (Tc) 190W (Tc) Through Hole TO-247-4L |
電流 - 25℃での連続ドレイン(Id) | 30A (Tc) |
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